电子电路基础 - 晶体管的类型

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  简述

  有许多类型的晶体管在使用中。每个晶体管都专门用于其应用。主要分类如下。

  

  初级晶体管是 BJT，FET 是现代版本的晶体管。让我们看看 BJT。
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  双极结型晶体管

  双极结型晶体管（简称BJT）之所以称为双极结型晶体管，是因为它有两个 PN 结来发挥其功能。这个 BJT 只不过是一个普通的晶体管。它有两种类型的配置NPN和PNP。为方便起见，通常首选 NPN 晶体管。下图显示了实际 BJT 的外观。

  

  BJT的类型有NPN和PNP晶体管。NPN晶体管是通过在两种n型材料之间放置p型材料制成的。PNP晶体管是通过在两种p型材料之间放置n型材料制成的。

  BJT 是一种电流控制器件。我们在前几章中讨论过的普通晶体管属于这一类。功能、配置和应用程序都相同。
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  场效应晶体管

  FET 是一种三端单极半导体器件。与双极结型晶体管不同，它是一种电压控制器件。FET 的主要优点是它具有非常高的输入阻抗，大约为兆欧。它具有许多优点，如低功耗、低散热和 FET 是高效的器件。下图显示了实际 FET 的外观。

  

  FET 是单极器件，这意味着它是使用 p 型或 n 型材料作为主要衬底制成的。因此，FET 的电流传导是由电子或空穴完成的。
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  场效应管的特点

  以下是场效应晶体管的各种特性。

  • 单极- 它是单极的，因为空穴或电子都负责传导。
  • 高输入阻抗- FET 中的输入电流由于反向偏置而流动。因此它具有高输入阻抗。
  • 电压控制器件- 由于 FET 的输出电压受栅极输入电压控制，因此 FET 被称为电压控制器件。
  • 噪声低- 传导路径中不存在结。因此噪声低于 BJT。
  • 增益以跨导为特征。跨导是输出电流变化与输入电压变化之比。
  • FET 的输出阻抗很低。

  场效应管的优点

  要选择 FET 而不是 BJT，使用 FET 而不是 BJT 应该没有什么优势。让我们尝试总结一下 FET 相对于 BJT 的优势。

  场效应管	BJT
  它是一种单极器件	它是一个双极设备
  电压驱动装置	电流驱动装置
  高输入阻抗	低输入阻抗
  低噪音水平	高噪音水平
  更好的热稳定性	较低的热稳定性
  增益的特点是跨导	增益以电压增益为特征

  场效应管的应用

  • FET用于电路中以减少负载效应。
  • FET 用于许多电路，例如缓冲放大器、相移振荡器和电压表。
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  场效应管端子

  虽然 FET 是一个三端子器件，但它们与 BJT 端子不同。FET的三个端子是栅极、源极和漏极。FET 中的Source端子类似于 BJT 中的 Emitter，而Gate类似于 Base 和Drain到 Collector。

  NPN 型和 PNP 型的 FET 符号如下所示

  

  Source

  • 场效应晶体管中的源端是载流子进入通道的源端。
  • 这类似于双极结型晶体管中的发射极端子。
  • Source 终端可以指定为S。
  • 在 Source 端进入通道的电流用 IS 表示。

  Gate

  • 场效应晶体管中的栅极端子通过控制流过通道的电流，在 FET 的功能中起着关键作用。
  • 通过在栅极端施加外部电压，可以控制通过它的电流。
  • 栅极是内部连接的两个重掺杂端子的组合。
  • 据说沟道电导率由栅极端子调制。
  • 这类似于双极结型晶体管中的基极端子。
  • Gate 终端可以指定为G。
  • 在 Gate 端进入通道的电流用 IG 表示。

  Drain

  • 场效应晶体管中的漏极端子是载流子离开通道的地方。
  • 这类似于双极结型晶体管中的集电极端子。
  • 漏源电压指定为 VDS。
  • Drain 端子可以指定为D。
  • 在 Drain 端离开通道的电流用 I _D表示。
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  场效应管的类型

  有两种主要类型的 FET。它们是 JFET 和 MOSFET。下图给出了 FET 的进一步分类。

  

  在后续章节中，我们将详细讨论 JFET 和 MOSFET。